真空鍍碳儀/中西器材 型號:JE3-TZ-1000C

真空鍍碳儀/中西器材 型號:JE3-TZ-1000C

注明：桌面型蒸鍍碳層，減少因樣品鍍層對X射線能量譜儀做元素分析時的能量損失，可以選擇蒸發碳繩和蒸發碳棒兩種方式。
技術規格說明
樣品倉尺寸：φ150mmX110mm
蒸發面積：約Φ140mm
高真空度：≤4×10-2mbar
工作電壓：220V,50HZ
蒸發輸出：電壓30V
蒸發靶材：碳棒、碳繩
蒸發大電流：約100A
真空鍍碳儀/中西器材 型號:JE3-TZ-1000C

理想膜層的特點
1.良好的導熱和導電性能。
2.不管樣品的表面形貌如何，覆蓋在所有部位的膜層需要薄厚均勻。
3.膜層對樣品的化學成分干擾很小，對從樣品中發射的X射線強度影響很弱。
4.這層膜主要增加樣品表面的導電性能和導熱性能，相較于導電金屬膜層的厚度普遍在10nm以上；可提供碳的鍍層，在3-4nm分辨率尺度內不顯示其幾何形貌特點，避免引入不必要的人為圖像，鍍層精細均勻，適合非常粗糙的樣品，高分辨研究。
5.可以噴碳（碳棒或碳繩），有利于對樣品中非碳元素的能譜分析。
6.非導電樣品觀察背散射電子圖像，進行EBSD分析，也應該噴碳處理。
主要用于掃描電鏡 EDS 樣品鍍導電膜 ，儀器操作簡單方便，是配合SEM 制樣的儀器。