臺式硅酸根儀/二氧化硅分析儀 XN84GXF-215C
技術參數
測量范圍 0~199.9μg/LSiO2
基本誤差≤±2.5%FS
重復性誤差≤±0.5%FS
短期漂移(30分鐘) : ≤±0.5%FS
長期漂移(24小時) : ≤±2.5%FS
化學方法 :硅鉬蘭光度法GB 12150—89
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