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高真空磁控濺射儀  型號:KM1-SD-650MH

高真空磁控濺射儀 型號:KM1-SD-650MH

簡要描述:
高真空磁控濺射儀 型號:KM1-SD-650MH

參數:
儀器主機尺寸: 長 610mm×寬 420mm×高 220mm(注:含腔體總高 490mm)
工作腔室尺寸: 標配:玻璃腔體(高度可選):直徑 260mm×高 200mm(外尺寸)
直徑 240mm×高 200mm(內尺寸)
選配:金屬腔體:直徑 260mm×高 270mm(外尺寸 )
直徑 210mm×高 270mm(內尺寸)

產品時間:2022-02-22

訪問量:670

廠商性質:生產廠家

生產地址:

高真空磁控濺射儀  型號:KM1-SD-650MH  

原理:
濺射鍍膜的原理是稀薄氣體在
異常輝光放電產生的等離子體在電
場的作用下,對陰極靶材表面進行轟
擊,把靶材表面的分子、原子、離子
及電子等濺射出來,被濺射出來的粒
子帶有一定的動能,沿一定的方向射
向基體表面,在基體表面形成鍍層。
濺射時產生的快電子在正交的電磁
場中作近似擺線運動,增加了電子行
程,提高了氣體的離化率,同時高能
量粒子與氣體碰撞后失去能量,基體
溫度較低,在不耐溫材料上可以完成
鍍膜。
用途:
KM1-SD-650MH 高真空磁控濺射鍍膜儀是袖珍型磁控濺射
設備,主要由濺射真空室、磁控濺射靶、樣品臺、工作氣路、抽氣系統、安裝機臺、真空測
量及電控系統等部分組成。高真空濺射可用于金屬、半導體、絕緣體等多種薄膜材料的
制備,且具有設備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優點,可用于大專、科研
院所的薄膜材料研究、制備。

高真空磁控濺射儀  型號:KM1-SD-650MH  

參數:
儀器主機尺寸: 長 610mm×寬 420mm×高 220mm(注:含腔體總高 490mm)
工作腔室尺寸: 標配:玻璃腔體(高度可選):直徑 260mm×高 200mm(外尺寸)
直徑 240mm×高 200mm(內尺寸)
選配:金屬腔體:直徑 260mm×高 270mm(外尺寸 )
直徑 210mm×高 270mm(內尺寸)
靶頭: 標配:單靶
選配:雙靶(雙靶儀器主機尺寸和工作腔體尺寸會隨之增大)
靶材尺寸: 直徑 50mm×厚 3mm(因靶材材質不同厚度有所不同)
靶材料: 標配一塊直徑 50mm×3mm 的銅靶(可選配多種靶材)
靶槍冷卻方式: 水冷
真空系統: 抗沖擊渦輪分子泵,抽速為 300L/s
前級機械泵: 抽速為 4L/s,帶防返油電磁閥及油污過濾器
真空測量: 采用復合真空計監測真空
真空度: 5×10
-5Pa(10 分鐘可到 9×10
-4Pa)
電源: 標配:直流恒流電源:輸入電壓:220V
輸出電壓:0-600v
輸出電流:0-1.6A
選配:射頻功率電源:功率 1000W,配射頻匹配器。
載樣臺: 直徑 200mm,可根據客戶需求定制載樣臺。
工作氣體: Ar 等惰性氣體(需自備氣瓶及減壓閥)
氣路: 濺射真空度手動調整(可選配氣體質量流量計)
水冷: 自循環冷卻水機
電源電壓: 220V 50Hz
啟動功率 3KW

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